- silicon-on-sapphire technique
- silicon-on-sapphire technique ME Silicium-Saphir-Technik f, SOS-Technik f
English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics. 2013.
silicon-on-sapphire technique
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silicon-on-sapphire isolation technique — silicio darinių ant safyro izoliavimo būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire isolation technique vok. Silizium auf Saphir Isolationstechnik, f rus. способ изоляции в КНС структуре, m pranc. technique d… … Radioelektronikos terminų žodynas
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Sapphire — For other uses, see Sapphire (disambiguation). Sapphire The 423 carat (85 g) blue Logan sapphire General Category Oxide mineral … Wikipedia
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Silicon carbide — Chembox new Name = Silicon carbide ImageFile = Silicon carbide 3D balls.png ImageSize = 140px ImageName = Ball and stick model of part of a crystal of SiC ImageFile1 = silicon carbide detail.jpg ImageSize1 = 140px OtherNames = Section1 = Chembox… … Wikipedia
Silicium sur isolant — Le Silicium Sur Isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d un empilement d une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d épaisseur) sur une couche d isolant. Cet isolant peut être du saphir (Silicon… … Wikipédia en Français
Sample return mission — A sample return mission is a spacecraft mission with the goal of returning tangible samples from an location to Earth for analysis. Sample return missions may bring back merely atoms and molecules or a deposit of complex compounds such as dirt… … Wikipedia
Silizium-auf-Saphir-Isolationstechnik — silicio darinių ant safyro izoliavimo būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire isolation technique vok. Silizium auf Saphir Isolationstechnik, f rus. способ изоляции в КНС структуре, m pranc. technique d… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicio darinių ant safyro izoliavimo būdas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire isolation technique vok. Silizium auf Saphir Isolationstechnik, f rus. способ изоляции в КНС структуре, m pranc. technique d isolation à la structure silicium sur saphir, f … Radioelektronikos terminų žodynas
способ изоляции в КНС-структуре — silicio darinių ant safyro izoliavimo būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire isolation technique vok. Silizium auf Saphir Isolationstechnik, f rus. способ изоляции в КНС структуре, m pranc. technique d… … Radioelektronikos terminų žodynas
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
